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士兰微电子推出LED照明驱动新品,积极推动LED照明行业的发展

发布时间:2019-11-17 18:54:05
士兰微电子推出LED照明驱动新品,积极推动LED照明行业的发展

7月4日消息,据中商产业研究院近期发布的《2019年中国LED照明行业市场前景研究报告》,预计2019年中国LED照明市场规模将突破7000亿元。士兰微电子在LED照明领域进行了多年的精心耕耘,积极推动LED照明行业的发展,士兰微电子更是LED照明驱动IC的主力军,不仅开发了市占率领先的隔离非隔离驱动电路,还推出了自主创新的多系列驱动芯片,配套的解决方案可以广泛应用于LED射灯、日光灯、球泡灯、筒灯、天花灯、路灯、车灯等不同领域,获得了百余项国家专利技术,并且先后承担了多项国家、省市级各类项目,取得了多项研究成果。

士兰微电子将LED照明驱动产品线作为公司的核心战略产品线之一,充分利用设计与制造一体的IDM模式优势,不断推动LED照明驱动产品的降本升级和技术创新。2017年底,士兰8英寸晶圆厂投入批量生产,2018年逐步增加产能,并开发了高压BCD工艺平台,将士兰LED驱动IC带到了一个新的高度。随着几代工艺的持续升级,士兰微电子LED照明驱动IC工艺平台已取得了领先的竞争力。

近期士兰微电子推出了业内首款隔离高P 去COMP电容的SD682X;推出了具有自主知识产权的大功率内置DPMOS的EHSOP5封装用SD689X隔离高P系列,功率覆盖30——60W范围;推出了兼容DaLi及0——10V调光的SD7880+SD755X系统方案。另外,基于8英寸生产线高压BCD工艺平台,士兰微电子推出了通用照明用去VCC电容的SDH775X、SDH771X、SDH761X、SDH790X四大系列,并且保持持续产能、质量保障、成本控制、LED照明驱动新动向(温度、封装、小型化、集成化)以及市场决心!

SDH761XH,SDH761X升级版本,通过独有技术解决市面上低带载能力与抗干扰能力矛盾的问题。

SDH771XF,SDH771X升级版本,外置OVP,方便客户灵活使用,解决变压器兼容问题。

SDH771XG,降电流温度点120度为您的DOB方案提供更优的选择。

SDH775X,单芯片方案为您提供性价比更优的选择。

同时,为了将外围做到极致,士兰微电子针对DOB方案推出了内置二极管SOP4封装的系列方案,包含SDH7753P/SDH7752P,以及120度降电流的SDH7711APG / SDH7711PG / SDH7712PG,并且推出了SOP4封装的SDH7711AP / SDH7711P / SDH7712P,用于满足非DOB客户。

得益于IDM运营模式,士兰微电子不仅研发了LED照明驱动电路,相关配套的分立器件也在同步研发,因此在成本控制,方案的选择性与灵活性,资源整合能力等方面会有更多优势,有助于推出更多的创新性LED照明产品。2019年我们将全力以赴,与业内同仁共同推进LED照明产业的发展。

7月3日,士兰微电子推出了内置大功率MOSFET的SSR反激电源管理芯片SDH8666Q系列,该系列产品是士兰微电子新一代SSR反激控制芯片,采用了自有专利EHSOP5贴片封装,内置高压大功率MOSFET,可广泛适用于36W适配器或48W开放环境,包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等。系列产品包括:

士兰微电子此次推出的SDH8666Q系列产品有诸多优势:产品采用自有专利EHSOP5贴片封装,更适于自动化生产;封装厚度仅为1.6mm,是TO252封装的2/3,对外壳温升影响更小;Rthja为60℃/W,与TO252相当,而Rthjc仅为1.05℃/W,是TO252封装的1/2,更有利于散热。封装效果如下图所示:

此外,该系列产品内置了专利高压EDMOS,也采用了专利高压启动控制电路,省略传统电路的启动电阻,待机功耗低至40mW,具有快速启动,轻载高效等优点。在启动过程中采用高压耗尽型MOSFET进行高压充电,芯片启动后高压启动控制器控制该MOSFET关断,相比其他高压启动方式可靠性更高,更易通过雷击浪涌测试。

全系列产品满足CoC V5 Tier 2能效,采用了QR+PWM+PFM+Burst Mode控制模式。其中,产品优化了QR模式抖频控制,在系统工作于CCM或QR模式时采用不同的抖频策略,优化抖频控制,降低系统EMI噪声。QR模式下,采用优化抖频后的IC比无抖频IC的传导噪声低5dB左右。

值得注意的是,该系列产品具有VCC HOLD功能,防止轻载或动态切换时芯片欠压重启,产品还具有完善的保护功能,包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown In/Brown Out,输出OVP,原边电流采样电阻短路保护,输出短路保护,副边整流管短路保护等。目前该系列电路已经大批量销售,获得了市场的青睐。

SDH8666Q(内置高压启动电路)和SD8666QS的典型应用分别如下图所示:

12V/3A DEMO(75mm*45mm*23mm)效果如下图所示:

文章来源:杭州士兰微电子股份有限公司

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